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一般而言 ,硅片的厚度会影响到少子寿命的测量 .由于样品表面存在复合中心 ,这些复合中心会使有效寿命降低 . 硅片如果太薄 ,少子就会扩散到表面进行复合 ,从而导致寿命降低 对于高质量的硅片尤其重要 .,为了避免这种现象发生 ,通常采用碘酒钝化表面 ,.但碘酒钝化的表面复合速率大概也在 20-200cm/s, 也并不是不存在影响 . 据我了解最佳为 2mm 薄片，每减少 0.1mm，相应的少子减少约 0.11us 你知道少子寿命的原理不 半导体物理里有，然后再看下测试原理，只要对那个寿命公式搞透了，啥都明白了，你的这个问题就是属于超级简单那种了。我先简单说说吧 1/Te1/Tb1/Ts1/Tb2S/W Te,Tb,Ts分别是有效寿命、体寿命、表面复合寿命； W 是片子厚度 ,S是表面复合速度；一般测试都是测 Te，但我们最想知道的是 Tb，所以测试其实是 Te约等于 Tb，即间接的方式。要让这种间接的方式准确，就得 2S/W 尽可能小，所以 W 要大。 W 越大， S 的影响越小。 。这么说比较简单哈，不严谨，但是基本还是说清楚了，建议看看半导体物理和少子寿命测试原理
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