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182组件逻辑详解
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2020.12.19⼴州 范斌 ⼤⾯积钙钛矿组件的制造⼯艺 钙钛矿组件⽣产⼯艺概括 ⼴义的PVD物理⽓相沉积,包括磁控溅射、电⼦束 蒸发等,但是习惯上通常不包括蒸镀 我们的PVD⼯艺⽤于前电极、阳极缓冲层、阴极缓冲 层和背电极 磁控溅射的设备结构简单,但⽤于往钙钛矿层上镀膜 时需要⼩⼼控制镀膜⼯艺,以免溅射出来的材料对钙 钛矿层造成损伤 RPD的⼯作原理是由磁场对Ar等离⼦体中的电⼦进⾏ 偏转,定向轰击在靶材上之后使靶材上的材料升华, 沉积效果类似于蒸镀 PVD⼯艺 PVD设备外观 靶材侧泵组侧 涂布⼯艺 锂电池电极材料涂布Konarka Heliatek 涂布⼯艺 涂布是⼀种⼴泛应⽤的⼯艺,包 括刮涂、线棒、Slot-die等许多 种⼯艺,最适合于钙钛矿层涂布 的是Slot-die⼯艺。(因为最好 控制) Slot-die⼯艺可⻅于锂电池、显 示⾯板、OLED照明等产品的精 密制造环节,它们的精度要求⾄ 少不低于钙钛矿溶液的涂布。 有兴趣从事此环节研究,不需要 对设备进⾏⾃主开发,想要的都 买得到。 ⼯艺重点在于控制凝结核的 ⽣成速度 溶剂挥发过程,以及⼤部分 溶剂挥发之后的热处理,对 于晶体的质量都有重⼤影响 材料配⽅(包括混合溶剂选 择、添加剂选择)对结晶效 果同样重要 我们选择涂布-结晶⼯艺来制 造钙钛矿层并不是因为湿法 便宜,⽽是因为效果好 结晶⼯艺 激光⼯艺包括划 线和清边,划线 是为了串联,清 边是为了封装 激光⼯艺的组件 化成本,显著低 于晶硅的组件化 成本,是钙钛矿 组件成本下降的 主要来源之⼀ 激光⼯艺 封装 封装 双玻组件,POE胶膜 封装,丁基胶封边 真空热层压⼯艺(和晶 硅组件没什么区别) 封装很⼤程度上决定了 组件的寿命,封装良好 的钙钛矿组件寿命不会 ⽐晶硅短 稳定性问题 钙钛矿组件制造技术的发展⽅向 钙钛矿的制造⼯艺⼏乎与晶硅没 有任何关系,应该更多地参照显 示⾯板的发展路径 制造尺⼨越⼤,单位⾯积⽣产成 本越低 ⾮晶硅制造放⼤没有形成优势, ⼀是因为⾮晶硅技术本来就没有 希望,⼆是因为过⾼的⼯艺温度 导致玻璃的变形很难避免 串联叠层意味着放弃把 钙钛矿做⼤的可能性 与晶硅叠层的问题 通过电压匹配实现⼆端输出 保持了钙钛矿的⼤⾯积⼯艺优势 不需要对钙钛矿的⽣产⼯艺进⾏特殊 开发 电压匹配可以保持硅电池的双⾯性 电压匹配可以更好地应对太阳光谱的 周期性变化 并联叠层 叠层组件的经济性 系统造价包括组件价格,以及⼟地、⼈⼯、⽀ 架、电缆、逆变器等所谓BOS BOS⾥⼤体⼀半与功率相关,⼀半与⾯积相 关,提⾼组件效率可以降低⾯积相关部分的成本 假设叠层组件的成本⽐晶硅组件⾼30,则叠 层组件的效率只需要达到25,叠层组件的性 价⽐就会超过晶硅组件 但是叠层组件的效率必须达到31以上才能在 东部地区达到⽔电的成本线 叠层组件的经济性 如果钙钛矿组件的价格达到1.2元,其效率在 16以上,性价⽐就会优于晶硅组件;要在 东部地区达到⽔电的⽔平,需要23的组件 效率。 如果钙钛矿组件的价格达到0.8元,其效率只 需要12,性价⽐就会优于晶硅组件;在东 部地区达到⽔电的⽔平,只需要17的组件 效率。
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